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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
característica fet | Logic Level Gate |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 25V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 18A, 31A |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 1.7V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 32nC @ 10V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 2340pF @ 12.5V |
potencia - máx. | 2W, 2.2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 8-WDFN Exposed Pad |
paquete de dispositivo del proveedor | 8-DFN-EP (5x6) |
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