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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 2 P-Channel (Dual) |
| característica fet | - |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 3.4A (Ta) |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 75mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1.5V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 20nC @ 4.5V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 825pF @ 10V |
| potencia - máx. | 900mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
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