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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
configuración impulsada | Half-Bridge |
tipo de canal | Independent |
Número de conductores | 2 |
tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
voltaje - suministro | 12V ~ 18V |
voltaje lógico - vil, vih | - |
Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 10A, 10A |
tipo de entrada | Non-Inverting |
voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 1200 V |
tiempo de subida/bajada (típico) | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
tipo de montaje | - |
paquete / caja | Module |
paquete de dispositivo del proveedor | Module |
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