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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Not For New Designs |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 32A |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 5V @ 8mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 400 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | - |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 15900 pF @ 25 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
tipo de montaje | Chassis Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227B |
paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
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