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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
corriente - colector (ic) (máx.) | 100 mA |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 50 V |
resistencia - base (r1) | 22 kOhms |
resistencia - base del emisor (r2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 60 @ 5mA, 5V |
saturación vce (máx.) @ ib, ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
Corriente de corte del colector (máx.) | 100nA |
frecuencia - transición | 180 MHz |
potencia - máx. | 340 mW |
tipo de montaje | Surface Mount, Wettable Flank |
paquete / caja | 3-XDFN Exposed Pad |
paquete de dispositivo del proveedor | DFN1110D-3 |
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