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SI7956DP-T1-GE3

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SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

no conforme

SI7956DP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $1.78182 -
6,000 $1.71912 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.6A
rds activado (máximo) @ id, vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 26nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® SO-8 Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
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Número de pieza relacionado

FQS4900TF
FDMQ86530L
FDMQ86530L
$0 $/pedazo
UM6K31NTN
UM6K31NTN
$0 $/pedazo
DMG1016VQ-13
FDS8934A
DMP2004DWK-7
SH8K12TB1
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$0 $/pedazo

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