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SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

no conforme

SISS28DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
26 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 25 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) +20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3640 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
paquete / caja PowerPAK® 1212-8S
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MCH3486-TL-H
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