Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

SQ4917EY-T1_GE3

SQ4917EY-T1_GE3

SQ4917EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO

no conforme

SQ4917EY-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.85590 -
5,000 $0.82620 -
12,500 $0.81000 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 65nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1910pF @ 30V
potencia - máx. 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TA)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

SIS903DN-T1-GE3
DMN62D0UT-13
RM4077S8
RM4077S8
$0 $/pedazo
SIZ300DT-T1-GE3
DMC2710UDW-13
FW274-TL-E
FW274-TL-E
$0 $/pedazo
SQ4961EY-T1_GE3
NVMFD5C478NLWFT1G
NVMFD5C478NLWFT1G
$0 $/pedazo
ZXMN3A04DN8TA
SQJQ904E-T1_GE3

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.