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SQJ960EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 8A

no conforme

SQJ960EP-T1_GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $1.00965 -
6,000 $0.97461 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A
rds activado (máximo) @ id, vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 735pF @ 25V
potencia - máx. 34W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® SO-8 Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
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Número de pieza relacionado

RF1K4915496
DMC4029SK4-13
AUIRF7316QTR
TPD3215M
TPD3215M
$0 $/pedazo
DMNH6042SSDQ-13
DMN2028UFU-7
APTC60AM45B1G
SI7252ADP-T1-GE3

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