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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| voltaje - cc inversa (vr) (máx.) | 650 V |
| Corriente media rectificada (io) | 12A |
| voltaje - directo (vf) (máximo) @ si | 1.8 V @ 12 A |
| velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| corriente - fuga inversa @ vr | 60 µA @ 650 V |
| capacitancia @ vr, f | 328pF @ 1V, 1MHz |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 4-VSFN Exposed Pad |
| paquete de dispositivo del proveedor | 5-DFN (8x8) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 175°C |
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