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Nombre | Valor |
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Estado del producto | Active |
tipo de memoria | Volatile |
formato de memoria | DRAM |
tecnología | SDRAM - DDR |
tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
frecuencia de reloj | 200 MHz |
Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página | 15ns |
tiempo de acceso | 700 ps |
voltaje - suministro | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
paquete de dispositivo del proveedor | 66-TSOP II |
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