Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Not For New Designs |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 600 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 4A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 10V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 4.1V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 6 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | ±30V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 263 pF @ 100 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 56.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete de dispositivo del proveedor | TO-251A |
paquete / caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.