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AOI4S60

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MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

AOI4S60 Ficha de datos

no conforme

AOI4S60 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,500 $0.54450 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 263 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-251A
paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número de pieza relacionado

PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/pedazo
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/pedazo
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3
RZF020P01TL
IPI100N06S3L04XK
IPD60R600P7ATMA1
FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/pedazo
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/pedazo

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