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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo de transistor | NPN |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 12V |
frecuencia - transición | 8GHz |
Figura de ruido (db típ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz |
ganar | 10dB ~ 18dB |
potencia - máx. | 500mW |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 30 @ 10mA, 8V |
corriente - colector (ic) (máx.) | 60mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 4-SMD (35 micro-X) |
paquete de dispositivo del proveedor | 35 micro-X |
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