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FCH190N65F-F085

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MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3

compliant

FCH190N65F-F085 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
450 $5.04664 $2270.988
294 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20.6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 190mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3181 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

STL3N65M2
STL3N65M2
$0 $/pedazo
NVMTS0D7N06CLTXG
NVMTS0D7N06CLTXG
$0 $/pedazo
CSD16411Q3
CSD16411Q3
$0 $/pedazo
IRF530NSTRLPBF
BS250FTA
BS250FTA
$0 $/pedazo
STP11NM50N
STP11NM50N
$0 $/pedazo

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