Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

FDD1600N10ALZD

FDD1600N10ALZD

FDD1600N10ALZD

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L

compliant

FDD1600N10ALZD Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.38808 -
5000 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.8A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.8V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 3.61 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 225 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 14.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252-4
paquete / caja TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

FQD7N10TM
APT20M45SVFRG
NVB5405NT4G
NVB5405NT4G
$0 $/pedazo
SI4447ADY-T1-GE3
IRFH7004TRPBF
SIHG11N80E-GE3
STL12N65M5
STL12N65M5
$0 $/pedazo
NDS8410A

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.