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FDD6676AS

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MOSFET N-CH 30V 90A TO252

compliant

FDD6676AS Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
209310 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 90A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 5.7mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2500 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 70W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

FDD8896
FDD8896
$0 $/pedazo
SI1499DH-T1-GE3
DMPH4013SK3-13
IRF634PBF
IRF634PBF
$0 $/pedazo
ZVN0545GTA
IXTP3N100P
IXTP3N100P
$0 $/pedazo
FDMS7670
FDMS7670
$0 $/pedazo
STB43N65M5
STB43N65M5
$0 $/pedazo

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