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FDG315N

FDG315N

FDG315N

2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET

FDG315N Ficha de datos

compliant

FDG315N Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.24058 -
6,000 $0.22506 -
15,000 $0.20953 -
30,000 $0.19867 -
20245 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 4 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 220 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SC-88 (SC-70-6)
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número de pieza relacionado

IRFR9024NTRLPBF
STF10P6F6
STF10P6F6
$0 $/pedazo
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G
$0 $/pedazo
BSS84AKVL
BSS84AKVL
$0 $/pedazo
IRLB8748PBF
SISA12BDN-T1-GE3
PMZB950UPEL315

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