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FDMD8900

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

compliant

FDMD8900 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.96852 -
15710 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 19A, 17A
rds activado (máximo) @ id, vgs 4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 35nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2605pF @ 15V
potencia - máx. 2.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 12-PowerWDFN
paquete de dispositivo del proveedor 12-Power3.3x5
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Número de pieza relacionado

VEC2415-TL-W-Z
VEC2415-TL-W-Z
$0 $/pedazo
RF1S630
RF1S630
$0 $/pedazo
G33N03D3
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$0 $/pedazo
FSS275-TL-E-SA
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$0 $/pedazo
2SJ634-E
2SJ634-E
$0 $/pedazo
DMC2990UDJQ-7
IXTL2X180N10T
IXTL2X180N10T
$0 $/pedazo
DMN3032LFDBWQ-7

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