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FDP6035L

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N-CHANNEL POWER MOSFET

no conforme

FDP6035L Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
3250 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 58A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 11mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1230 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/pedazo
GKI07113
GKI07113
$0 $/pedazo
SQD50034E_GE3

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