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FDS6299S

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MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

no conforme

FDS6299S Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.85000 $1.85
500 $1.8315 $915.75
1000 $1.813 $1813
1500 $1.7945 $2691.75
2000 $1.776 $3552
2500 $1.7575 $4393.75
25522 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 21A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.9mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3880 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

BUK7M6R0-40HX
BSN20Q-7
BSN20Q-7
$0 $/pedazo
FCP067N65S3
FCP067N65S3
$0 $/pedazo
SQM50P06-15L_GE3
CSD17313Q2Q1T
SQA600CEJW-T1_GE3
NVTYS002N03CLTWG
NVTYS002N03CLTWG
$0 $/pedazo

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