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FDS8949-F085

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

no conforme

FDS8949-F085 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.72472 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A
rds activado (máximo) @ id, vgs 29mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 955pF @ 20V
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

SI4542DY-T1-E3
ZVN4206NTC
IRF7316PBF
SI1912EDH-T1-E3
2N7002V-TP
FDS4953
SUD50NP04-77P-T4E3
SI1913EDH-T1-E3
SP8K32FRATB

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