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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 1.1A |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1.5V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| vgs (máximo) | +5.5V, -300mV |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 85 pF @ 15 V |
| característica fet | Schottky Diode (Isolated) |
| disipación de potencia (máxima) | 1W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | 4-WLCSP (1x1) |
| paquete / caja | 4-XFBGA, WLCSP |
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