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FQI7N80TU

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MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

compliant

FQI7N80TU Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $1.36620 -
388 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1850 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor I2PAK (TO-262)
paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número de pieza relacionado

IRFTS8342TRPBF
IXTA340N04T4-7
IXTA340N04T4-7
$0 $/pedazo
IRFU310BTU
IRFB4110PBF
RM5N40S2
RM5N40S2
$0 $/pedazo
FDD8647L
FDD8647L
$0 $/pedazo
SIS443DN-T1-GE3
STL3NK40
STL3NK40
$0 $/pedazo

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