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G3S12010M

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

compliant

G3S12010M Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $16.17000 $16.17
500 $16.0083 $8004.15
1000 $15.8466 $15846.6
1500 $15.6849 $23527.35
2000 $15.5232 $31046.4
2500 $15.3615 $38403.75
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 23.5A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.7 V @ 10 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 50 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 765pF @ 0V, 1MHz
tipo de montaje Through Hole
paquete / caja TO-220-2 Full Pack
paquete de dispositivo del proveedor TO-220F
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

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