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G4S06510JT

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI

no conforme

G4S06510JT Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.19000 $5.19
500 $5.1381 $2569.05
1000 $5.0862 $5086.2
1500 $5.0343 $7551.45
2000 $4.9824 $9964.8
2500 $4.9305 $12326.25
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 650 V
Corriente media rectificada (io) 31.2A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.7 V @ 10 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 50 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f 550pF @ 0V, 1MHz
tipo de montaje Through Hole
paquete / caja TO-220-2 Isolated Tab
paquete de dispositivo del proveedor TO-220ISO
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

S504150TS
UES804
UES804
$0 $/pedazo
MBRP30035L
MBRP30035L
$0 $/pedazo
JANTXV1N1204AR
MPP5FA20
MPP5FA20
$0 $/pedazo
1N5819-1/TR
JAN1N5190
MBR6060PTE3/TU

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