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G5S06506QT

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN8*

no conforme

G5S06506QT Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.92000 $5.92
500 $5.8608 $2930.4
1000 $5.8016 $5801.6
1500 $5.7424 $8613.6
2000 $5.6832 $11366.4
2500 $5.624 $14060
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 650 V
Corriente media rectificada (io) 34A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.5 V @ 6 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 50 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f 395pF @ 0V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 4-PowerTSFN
paquete de dispositivo del proveedor 4-DFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

1N914UR-1/TR
W5282ZC300
W5282ZC300
$0 $/pedazo
HER308GT-G
HER308GT-G
$0 $/pedazo
US5AC-HF
US5AC-HF
$0 $/pedazo
SD200SCU150A.T1
ISOPAC0404
R6020835ESYA
R6020835ESYA
$0 $/pedazo

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