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G5S12010C

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

no conforme

G5S12010C Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $13.49000 $13.49
500 $13.3551 $6677.55
1000 $13.2202 $13220.2
1500 $13.0853 $19627.95
2000 $12.9504 $25900.8
2500 $12.8155 $32038.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 34.2A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.7 V @ 10 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 50 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 825pF @ 0V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivo del proveedor TO-252
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

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