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HUFA75333G3

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N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUFA75333G3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
1512 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 66A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 16mOhm @ 66A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 85 nC @ 20 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1300 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

ZXMP4A57E6QTA
IRFP90N20DPBF
IPA60R600E6XKSA1
SPU01N60C3
RTR020N05HZGTL
FQPF8N80C
FQPF8N80C
$0 $/pedazo
FDZ204P

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