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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 600mA (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 1.6Ohm @ 300mA, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | - |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 15 nC @ 15 V |
| vgs (máximo) | - |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 250 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete de dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| paquete / caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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