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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 1A (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 10V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 4V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 18 nC @ 10 V |
| vgs (máximo) | ±20V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 390 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 1.3W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete de dispositivo del proveedor | 4-HVMDIP |
| paquete / caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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