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NDS9952A

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

no conforme

NDS9952A Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.48264 -
5,000 $0.45984 -
12,500 $0.44356 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.7A, 2.9A
rds activado (máximo) @ id, vgs 80mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.8V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 25nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 320pF @ 10V
potencia - máx. 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

NVMFD5853NT1G
NVMFD5853NT1G
$0 $/pedazo
SI6955ADQ-T1-GE3
NTHD5902T1
NTHD5902T1
$0 $/pedazo
NTLUD4C26NTBG
NTLUD4C26NTBG
$0 $/pedazo
FDMS3610S

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