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RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

N-CHANNEL POWER MOSFET

no conforme

RF1S22N10SM Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
3853 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22A
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263AB
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

IPB020N04NGATMA1
BUK9M43-100EX
IPW65R310CFD
SIRA18BDP-T1-GE3
STP4N150
STP4N150
$0 $/pedazo
FDMT800100DC
FDMT800100DC
$0 $/pedazo
P3M12040K3
2N7008-G
2N7008-G
$0 $/pedazo
FDS2170N7

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