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SI4463DY

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P-CHANNEL MOSFET

compliant

SI4463DY Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
192279 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 11.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4481 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

RF1S50N06LESM
FQPF9P25YDTU
DMP3017SFV-7
NVTFWS052P04M8LTAG
NVTFWS052P04M8LTAG
$0 $/pedazo
IRFR224TRPBF-BE3
DMTH4014LFVWQ-7

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