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SI6467DQ

SI6467DQ

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P-CHANNEL MOSFET

compliant

SI6467DQ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
3230 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 12mOhm @ 9.2A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5878 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-TSSOP
paquete / caja 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Número de pieza relacionado

FDPF4D5N10C
FDPF4D5N10C
$0 $/pedazo
SQJ464EP-T1_BE3
IPP08CNE8NG
STH270N4F3-2
APT18M100S
IXFB210N20P
IXFB210N20P
$0 $/pedazo
IRL630PBF
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$0 $/pedazo
NTD50N03R-35G
NTD50N03R-35G
$0 $/pedazo

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