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DMG4N60SCT

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MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB

compliant

DMG4N60SCT Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14.3 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 532 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 113W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

IRF7707
IRF7707
$0 $/pedazo
IRLR8113TRRPBF
IRFR3706PBF
PMN120ENEX
PMN120ENEX
$0 $/pedazo
NTD20N03L27
NTD20N03L27
$0 $/pedazo
SI1413DH-T1-GE3
IRFR2905ZPBF
SFT1350-H
SFT1350-H
$0 $/pedazo
IPF10N03LA

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