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DMG6602SVT-7

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MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

no conforme

DMG6602SVT-7 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.10560 -
6,000 $0.09592 -
15,000 $0.08624 -
30,000 $0.08140 -
75,000 $0.07317 -
150,000 $0.07075 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate, 4.5V Drive
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.4A, 2.8A
rds activado (máximo) @ id, vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 13nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 400pF @ 15V
potencia - máx. 840mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor TSOT-26
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Número de pieza relacionado

PMZ950UPE,315
DMN3015LSD-13
SH8KA4TB
SH8KA4TB
$0 $/pedazo
SIZ270DT-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3
ZXMN3A06DN8TA
QH8JB5TCR
QH8JB5TCR
$0 $/pedazo
SI5948DU-T1-GE3
BUK9K17-60EX

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