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DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

no conforme

DMN2014LHAB-7 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.21374 -
6,000 $0.20140 -
15,000 $0.18906 -
30,000 $0.18042 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9A
rds activado (máximo) @ id, vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 16nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1550pF @ 10V
potencia - máx. 800mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-UFDFN Exposed Pad
paquete de dispositivo del proveedor U-DFN2030-6 (Type B)
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Número de pieza relacionado

SQ3989EV-T1_BE3
FDS4559
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$0 $/pedazo
CSD88584Q5DC
FDMS8095AC
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$0 $/pedazo
MCQ7328-TP
UT6K3TCR1
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$0 $/pedazo
MSCSM70AM07CT3AG
TT8K11TCR
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$0 $/pedazo
SI9926CDY-T1-E3

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