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DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

no conforme

DMN3190LDW-13 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1A
rds activado (máximo) @ id, vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.8V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 2nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 87pF @ 20V
potencia - máx. 320mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SOT-363
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Número de pieza relacionado

SQJ946EP-T1_GE3
SH8K26GZ0TB
SI1035X-T1-GE3
SI7900AEDN-T1-GE3
MSCSM70AM10CT3AG
BSG0813NDIATMA1

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