Welcome to ichome.com!
| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 100mA (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 0.45 nC @ 4.5 V |
| vgs (máximo) | - |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 32 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | X1-DFN1006-3 |
| paquete / caja | 3-UFDFN |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.