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DMT15H017LPSW-13

DMT15H017LPSW-13

DMT15H017LPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

compliant

DMT15H017LPSW-13 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.89460 $0.8946
500 $0.885654 $442.827
1000 $0.876708 $876.708
1500 $0.867762 $1301.643
2000 $0.858816 $1717.632
2500 $0.84987 $2124.675
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 17.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.6V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3369 pF @ 75 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.3W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete de dispositivo del proveedor PowerDI5060-8 (Type UX)
paquete / caja 8-PowerTDFN
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Número de pieza relacionado

FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM
$0 $/pedazo
APT66M60B2
IRFD310PBF
IRFD310PBF
$0 $/pedazo
FDMA430NZ
FDMA430NZ
$0 $/pedazo
XP231N0201TR-G
NTB4302G
NTB4302G
$0 $/pedazo
BUK6213-30C,118
IXFA12N50P-TRL
IXFA12N50P-TRL
$0 $/pedazo

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