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DMT6016LSS-13

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MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

compliant

DMT6016LSS-13 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.22860 -
5,000 $0.21540 -
12,500 $0.20220 -
25,000 $0.19296 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 864 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

FQA90N10V2
FDN335N
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$0 $/pedazo
FDC610PZ
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ZXMN6A25KTC
BUK9M12-60EX
IXTP6N50D2
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$0 $/pedazo
FDN359BN
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$0 $/pedazo

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