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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | Standard |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 800mA, 680mA |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 4V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 2.9nC @ 10V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 138pF @ 60V |
| potencia - máx. | 870mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
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