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ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

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MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

no conforme

ZXMN2A04DN8TC Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
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Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5.9A
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 700mV @ 250µA (Min)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 22.1nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1880pF @ 10V
potencia - máx. 1.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
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Número de pieza relacionado

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$0 $/pedazo
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