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FBG10N05AC

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EPC Space, LLC

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

compliant

FBG10N05AC Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $313.40000 $313.4
500 $310.266 $155133
1000 $307.132 $307132
1500 $303.998 $455997
2000 $300.864 $601728
2500 $297.73 $744325
68 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 44mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1.2mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 2.2 nC @ 5 V
vgs (máximo) +6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 233 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 4-SMD
paquete / caja 4-SMD, No Lead
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Número de pieza relacionado

STW57N65M5-4
IXFH150N15P
IXFH150N15P
$0 $/pedazo
STD155N3H6
STD155N3H6
$0 $/pedazo
IRLZ44NPBF
BUK968R3-40E,118
BUK968R3-40E,118
$0 $/pedazo
NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G
$0 $/pedazo
PMZB200UNEYL
IXFH6N120
IXFH6N120
$0 $/pedazo
XP262N7002TR-G

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