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EPC2010C

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EPC

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

compliant

EPC2010C Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
500 $3.73500 $1867.5
1,000 $3.15000 -
8299 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 3mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 5.3 nC @ 5 V
vgs (máximo) +6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 540 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor Die Outline (7-Solder Bar)
paquete / caja Die
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Número de pieza relacionado

IXTA1N120P
IXTA1N120P
$0 $/pedazo
IXFA6N120P
IXFA6N120P
$0 $/pedazo
NTTFS4928NTWG
NTTFS4928NTWG
$0 $/pedazo
2SK4099LS
2SK4099LS
$0 $/pedazo
SISA04DN-T1-GE3
STD64N4F6AG
FDB4020P
NTP095N65S3H
NTP095N65S3H
$0 $/pedazo

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