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EPC2016C

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EPC

GANFET N-CH 100V 18A DIE

compliant

EPC2016C Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $1.05000 -
183555 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 18A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 3mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 4.5 nC @ 5 V
vgs (máximo) +6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 420 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor Die
paquete / caja Die
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Número de pieza relacionado

IXTT30N60L2
IXTT30N60L2
$0 $/pedazo
IXFH30N85X
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$0 $/pedazo
PHB20N06T,118
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$0 $/pedazo
IXTA1R6N100D2-TRL
IXTA1R6N100D2-TRL
$0 $/pedazo
SQ4425EY-T1_BE3
BUK624R5-30C
PMN30UNX
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$0 $/pedazo
MMSF7N03HDR2
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$0 $/pedazo

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