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EPC2051

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EPC

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC2051 Ficha de datos

compliant

EPC2051 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.53200 -
89442 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 25mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1.5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 2.1 nC @ 5 V
vgs (máximo) +6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 258 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor Die
paquete / caja Die
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Número de pieza relacionado

IRF6674TRPBF
PSMN4R2-60PLQ
SQD50P03-07_GE3
IXTQ150N15P
IXTQ150N15P
$0 $/pedazo
FDS3580
FDS3580
$0 $/pedazo
SIHLZ34S-GE3
SIHLZ34S-GE3
$0 $/pedazo
RD3P100SNTL1
GC11N65K
GC11N65K
$0 $/pedazo

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