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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | GaNFET (Gallium Nitride) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 9.5A, 38A |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| potencia - máx. | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | Die |
| paquete de dispositivo del proveedor | Die |
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