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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| característica fet | GaNFET (Gallium Nitride) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 1.7A, 500mA |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| potencia - máx. | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 9-VFBGA |
| paquete de dispositivo del proveedor | 9-BGA (1.35x1.35) |
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