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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración impulsada | Half-Bridge |
| tipo de canal | Independent |
| Número de conductores | 2 |
| tipo de puerta | Enhanced Mode GaN FET |
| voltaje - suministro | 4.5V ~ 5.5V |
| voltaje lógico - vil, vih | 0.5V, 2.3V |
| Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 7.1A, 12.5A |
| tipo de entrada | Non-Inverting |
| voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 85 V |
| tiempo de subida/bajada (típico) | 8ns, 4ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 12-UFBGA, WLCSP |
| paquete de dispositivo del proveedor | 12-WLCSP-B (1.6x1.6) |
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